有关 euv的一些信息
1. http://ssrf.sari. - 请注意发表时间上海光源软X射线干涉光刻线站用户在02专项极紫外光刻胶项目中取得重大突破
时间：2018-06-28
近日，由中国科学院化学研究所作为责任单位的国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项（简称02专项）项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”，顺利通过国家科技重大专项—02专项实施管理办公室的验收。该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术的相关研发向前推进了重要一步。上海光源软X射线干涉光刻（XIL）线站作为极紫外光刻胶性能检测的一项关键手段，在该项目实施过程中发挥了非常重要的作用。
02专项项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”由中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司联合承担。经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括5项国际专利），截至目前共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）。
极紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，国外同类技术封锁严重，技术难度大、瓶颈多。极紫外光刻胶是极紫外光刻技术的核心子系统关键技术，该项目的顺利实施填补了我国在这一领域的空白。
上海光源软X射线干涉光刻（XIL）线站建成于2012年。X射线干涉光刻（XIL）技术是利用两束或多束相干X光束的干涉条纹对光刻胶进行曝光的新型先进微、纳加工技术，可以开展几十甚至十几个纳米周期的纳米结构加工。与其他光刻等方法相比，XIL技术具有分辨率高、无邻近效应、无污染、产出高等优点，可以更可靠地获得大面积、高质量的亚50nm的高密度周期性纳米结构。X射线干涉光刻技术应用于EUV光刻胶的检测是目前国际上最先进的表征方法。杨国强课题组与上海光源团队通力合作，在原有干涉光刻实验站的基础上完成了光刻胶曝光检测装置和产气测试装置的共同研制，初步建立起EUV光刻胶敏感度、分辨率、边缘粗糙度及曝光产气等重要指标检测的完整EUV光刻胶评估检测平台。该平台将在我国今后的EUV光刻胶研究中继续发挥重要作用。（物理与环境部、束线工程部、大装置部供稿）
2. https://www. - 我看到了有关华为euv技术专利信息。
参观EUV光源、高通量基因测序仪等成果，白春礼调研长春光机所
分享：点击3332次2023/05/05 15:33:55
导读： 2023年4月13日下午，中国科学院院士、中国科学院前党组书记、院长白春礼到长春光机 所调研。
据报道，2023年4月13日下午，中国科学院院士、中国科学院前党组书记、院长白春礼到长春光机所调研。
在金宏书记的陪同下，白春礼先后参观了高通量基因测序仪、EUV光源、02专项等科技创新成果及研究进展，并就相关技术问题与科技人员进行了深入交流。白春礼对长春光机所光电关键核心技术攻关所取得的成绩给予了高度肯定，希望长春光机所继续发挥优良传统，为加快解决光电领域“卡脖子”问题努力作出新的更大贡献。
中国科学院院士张洪杰，长春市科协党组书记、主席周衍广及副主席王立伍陪同调研。
实际上我国在EUV光刻领域研发布局很早
上世纪90年代起，长春光机所开始专注于EUV/X射线成像技术研究，着重开展了EUV光源、超光滑抛光技术、EUV多层膜及相关EUV成像技术研究，形成了极紫外光学的应用技术基础。
2002年，长春光机所研制国内第一套EUV光刻原理装置，实现了EUV光刻的原理性贯通。
2008年，国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项（02专项）将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。长春光机所作为牵头单位，承担起了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作。
2016年，金春水率领的长春光机所项目研究团队历经八年的艰苦奋战，突破了超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术，成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，构建了EUV 光刻曝光装置，在国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形。
2017年，长春光机所“极紫外（EUV）光刻关键技术研究”项目验收。02专项光刻机工程指挥部总指挥、科技部原副部长曹健林是国内熟悉EUV光刻的领域专家之一。他认为我国已具备光刻技术的研发能力，并向着产业化目标前进，30年前的“中国光刻梦”正变为现实。
2020年9月，中科院立下“军令状”，院长白春礼表态要把光刻机等卡脖子清单变成科研任务清单，全力攻关。
EUV光源在哈尔滨工业大学研发多年，目前正与长春研究院合作。 用于EUV光刻设备的超精密掩模/硅片平台由清华大学朱煜教授领导的团队于2014年开发，并交付给长春研究院。华为的研究实验室也位于长春，作为EUV光刻设备的潜在用户，似乎正在参与联合开发，合作推动发展。
2022年，华为向国家知识产权局提交了EUV扫描仪及其关键部件的专利申请（专利申请号202110524685X），成为主要在光刻设备行业的热门话题。 该专利涵盖了EUV扫描仪的所有重要部件，包括EUV光源，反射器，光刻设备和波长为13.5nm的测量技术。
对此，ASML在4月26日的年度股东大会上表示，“在中国被限制采购外国制造的制造设备的情况下，追求自己的设备开发是有意义的。竞争对手可能生产出最先进的光刻机，因此ASML进入中国市场是绝对必要的。
第二届“半导体工艺与检测技术”网络会议即将召开
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，泛林集团将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。半导体行业内素有“一代设备，一代工艺，一代产品”的说法。针对于此，仪器信息网联合电子工业出版社特组织召开第二届“半导体工艺与检测技术”主题网络研讨会，聚焦薄膜沉积、光刻、刻蚀、封装、失效分析、沾污检测等技术，依托成熟的网络会议平台，为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台，让大家足不出户便能聆听到精彩的报告
