单总线通信协议中存在两种写时隙：写0写1 产生1时隙的方式：主机拉低总线后，接着必须在15us之内释放总线，由上拉电阻将总线拉至高电平 产生写0时隙的方式为在主机拉低后，只需要在整个时隙间保持低电平即可（至少60us）
问问如果产生1时隙时如果我15us不放开，由于主机写时缝能60到120 我感觉有充足的时间把它给拉高 为什么是必须
能不能个给我总结一下达拉斯单总线协议的用法 我总感觉我貌似懂一点 可是仔细一想什么都不懂 求高手指点迷津

I/O口线变低后，DS18b20在15us到60us内的窗口内对I/O口线进行采样。所以要在15us内释放总线，也就是拉高，如果输入的是1，则总线为高，如果输入为0，即使总线拉高，总线还是会变低，这样才能判断出写1还是0.
//写字节
void Write_18b20_byte(uchar dat)
{
    uchar i;
    IO=1;
    for(i=0;i<8;i++)
    {
        IO=0;
        delay1(1);//7us
        IO=dat&0x01;  //判断写0还是1
        delay1(15);//38us 最大45us
        IO=1;    //释放总线
        dat>>=1;
        delay1(5);//16us.每次写时间隙至少要60us。读时间隙同样如此
    }
}