| 网站首页 | 业界新闻 | 小组 | 威客 | 人才 | 下载频道 | 博客 | 代码贴 | 在线编程 | 编程论坛
欢迎加入我们,一同切磋技术
用户名:   
 
密 码:  
共有 837 人关注过本帖
标题:求助存储器字位同时扩展法问题
只看楼主 加入收藏
沧海BY
Rank: 1
等 级:新手上路
帖 子:1
专家分:0
注 册:2006-11-30
收藏
 问题点数:0 回复次数:0 
求助存储器字位同时扩展法问题

用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位的存储器,要求:
(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。
(2) 设存储器读/写周期为0.5μS, CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?


求助大家了!

搜索更多相关主题的帖子: 存储器 芯片 CPU DRAM 
2006-11-30 15:44
快速回复:求助存储器字位同时扩展法问题
数据加载中...
 
   



关于我们 | 广告合作 | 编程中国 | 清除Cookies | TOP | 手机版

编程中国 版权所有,并保留所有权利。
Powered by Discuz, Processed in 0.021746 second(s), 7 queries.
Copyright©2004-2024, BCCN.NET, All Rights Reserved